RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
65
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
65
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2041
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link