RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3273
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link