RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
45
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2414
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link