RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3098
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link