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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
92
Por volta de -207% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3040
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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