RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
36
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3119
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link