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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
61
Por volta de -144% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
3187
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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