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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
874.3
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
81
Por volta de -189% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
81
28
Velocidade de leitura, GB/s
1,885.7
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
874.3
14.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
277
3546
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Comparações de RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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