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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
59
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
59
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
9.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2128
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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