RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
2703
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link