RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
64
Por volta de -73% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3529
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link