RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
71
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
1863
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link