RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
42
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
18
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
16.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3722
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link