RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
74
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
74
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
1616
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link