RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
42
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
18
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3529
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link