RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
71
Por volta de -129% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3861
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link