RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2404
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link