RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2451
2987
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link