RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
1338
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link