RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,109.3
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
60
Por volta de -7% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,162.7
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,109.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
2455
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Comparações de RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link