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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2356
2852
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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