RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
72
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
72
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1951
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link