RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3373
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link