RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2503
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U7BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link