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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
42
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3126
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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