RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2462
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link