RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparar
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,832.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,433.3
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,832.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
646
2361
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link