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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
18.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
3731
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
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