RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
79
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,468.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
79
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,061.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,468.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
422
2852
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link