RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
65
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
65
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2001
1932
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link