RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
73
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
1724
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link