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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
2764
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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