RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
1691
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link