RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de 50% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
50
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
3277
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link