RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
2935
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link