RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
3482
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link