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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2281
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
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