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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3023
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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