RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3374
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link