RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
25
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
19.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
4293
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link