RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3033
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link