RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
81
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
81
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1668
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link