RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3302
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link