RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2450
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link