RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2333
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link