RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de -127% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3783
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link