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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
59
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2843
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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