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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB Razões a considerar
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    58 left arrow 59
    Por volta de -2% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,130.0 left arrow 2,123.3
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 58
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 4,276.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 2,130.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 638

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB Comparações de RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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