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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 14.8
    Valor médio nos testes
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 59
    Por volta de -136% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 2,123.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 14.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 9.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 2340

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