RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
59
Por volta de -28% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
46
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link